V型石墨舟皿在防渗碳方面有哪些优势

高密度V型石墨舟皿在防渗碳方面的优势首要表现在以下方面：
一、涂料层物理阻断：氮化硼涂层的高效防护
涂层厚度与资料特性
    V型石墨舟皿的槽体和石墨片外表涂覆厚度≥0.18mm的氮化硼（BN）涂料层。氮化硼具有优异的化学慵懒，在高温下（如硬质合金烧结的1400-1600℃）不与碳反响，可形成细密隔离层，阻断碳原子向合金内部的涣散途径。
防渗碳作用验证
    在硬质合金烧结中，该涂层使产品渗碳层硬度下降崎岖从传统结构的15%-20%降至≤5%，确保合金功能安稳。例如，某企业实测数据显现，运用氮化硼涂层后，YG8硬质合金的钴磁值动摇范围从±3%收窄至±0.5%，标明渗碳操控精度显着前进。
二、结构优化：削减碳触摸与气体停留
V型槽的几何优势
    触摸面积最小化：V型槽经过斜面限位固定产品，比较U型槽，产品与舟皿的触摸面积削减约40%，下降了碳渗透危险。
    气体流通规划：槽面设置的排气通槽引导脱胶气体（如氢气）沿预订途径逸出，防止部分气压过高导致胶体残留。在氢气脱胶工艺中，该规划使胶体残留率从15%降至2%以下，削减了因胶体碳化引发的渗碳危险。
棱角维护机制
    底部支撑凸起与槽面交界处设置棱角维护槽，将产品与锐边触摸转为平面触摸，边角破损率从传统结构的5.2%降至0.8%。破损削减意味着合金外表露出面积下降，进一步抑制碳渗透。
三、资料纯度与工艺操控：从源头抑制渗碳
高纯度石墨基材
    选用固定碳含量≥99.99%的等静压石墨，灰分含量≤0.02%，防止Fe、Si等杂质在高温下催化碳涣散。例如，在半导体晶圆传输中，高纯度石墨舟皿可满足NAS 1638 Class 3级洁净度规范（每立方米>0.5μm颗粒<1000个），确保烧结环境无外来碳源污染。
冷等静压成型工艺
    在200MPa高压下对石墨粉进行三维均匀压制，消除内部应力，使石墨在各个方向功能数值完全相同。这种均质结构削减了烧结过程中的部分热应力，防止因舟皿变形导致产品与槽体触摸紧密度改变，然后下降渗碳危险。
四、模块化规划：适配异形件，削减碳污染危险
可拆卸石墨片
    V型槽内可拆卸设备石墨片，经过层叠不同标准的石墨片适配异形硬质合金件（如段差圆棒/管）。这种规划无需替换舟皿本体，防止了因一再替换导致的舟皿外表危害和碳污染堆集。
石墨限位件
    设备在石墨片上的限位件防止石墨片在V型槽内轴向移动，确保产品定位精度≤0.01mm。精准定位削减了产品与槽体的冲突，下降了因微动导致的碳渗透。
五、运用场景验证：防渗碳作用的实践表现
硬质合金烧结
    在钨钴类（YG）和钨钛钴类（YT）硬质合金烧结中，V型石墨舟皿可使产品合格率前进10%-15%，首要得益于渗碳操控的显着改进。例如，某企业统计显现，运用V型舟皿后，因渗碳导致的废品率从8%降至1.2%。
半导体晶圆传输
    在12英寸晶圆ALD设备中，V型石墨舟皿的外表温差<±2℃，定位精度≤±0.005mm，确保晶圆在高温处理过程中不受碳污染，满足先进制程对资料纯度的严苛要求。

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